簡(jiǎn)報(bào)評(píng)價(jià)
微晶+低銀耗技術(shù)已具備產(chǎn)業(yè)化條件
金石能源：微晶+低銀耗技術(shù)通過客戶驗(yàn)證
2022.03.11
今年2月初，公司收到2家產(chǎn)線客戶發(fā)來的駐廠調(diào)研需求，簽訂保密協(xié)議后，產(chǎn)線客戶各派技術(shù)團(tuán)隊(duì)進(jìn)駐工廠，對(duì)異質(zhì)結(jié)微晶化的摻雜層工藝技術(shù)及相應(yīng)PECVD設(shè)備、低銀耗工藝和異質(zhì)結(jié)電池量產(chǎn)線的運(yùn)行進(jìn)行跟線、取樣檢測(cè)及現(xiàn)場(chǎng)調(diào)研，根據(jù)調(diào)研結(jié)果撰寫了《駐廠調(diào)研簡(jiǎn)報(bào)》。
據(jù)悉，2家產(chǎn)線客戶均是行業(yè)知名企業(yè)，在前期充分技術(shù)交流的基礎(chǔ)上，客戶對(duì)公司微晶化的摻雜層工藝技術(shù)及相應(yīng)的PECVD設(shè)備興趣濃厚，并于2月中旬與下旬分別派出技術(shù)團(tuán)隊(duì)進(jìn)行為期3天的駐廠調(diào)研。
1．金石能源微晶化的摻雜層工藝PECVD設(shè)備實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)定的生產(chǎn)，在行業(yè)內(nèi)具有突破性；
2．微晶化的摻雜層工藝PECVD設(shè)備運(yùn)行平穩(wěn)，產(chǎn)品良率和產(chǎn)品平均轉(zhuǎn)換效率均達(dá)到了廠商標(biāo)注的閾值區(qū)間；
3．低銀耗技術(shù)具有創(chuàng)新性，根據(jù)披露的方案，低銀耗技術(shù)降低了50%的低溫銀漿使用量，每瓦銀漿消耗量?jī)H13mg，遠(yuǎn)低于行業(yè)的每瓦28mg消耗量；
4．取樣產(chǎn)品檢測(cè)結(jié)果顯示，金石能源使用低銀耗技術(shù)生產(chǎn)的電池產(chǎn)品轉(zhuǎn)換效率的分布，與未使用低銀耗技術(shù)的電池產(chǎn)品沒有明顯差異；
5．微晶工藝加低銀耗技術(shù)的方案，在設(shè)備、技術(shù)和成本各項(xiàng)指標(biāo)上均達(dá)到了行業(yè)較高水準(zhǔn)，技術(shù)成果可快速實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。
量產(chǎn)微晶HJT電池
大腔室PECVD更具優(yōu)勢(shì)
微晶摻雜層的異質(zhì)結(jié)電池的轉(zhuǎn)換效率比非晶摻雜層電池的高出0.5%，微晶異質(zhì)結(jié)電池的量產(chǎn)重中之重在于PECVD設(shè)備。2020年開始，公司逐步將微晶工藝導(dǎo)入自主研發(fā)的PECVD設(shè)備，完成了微晶摻雜層工藝的研發(fā)工作，在具備成熟異質(zhì)結(jié)電池微晶工藝基礎(chǔ)上，推出微晶化的摻雜層工藝PECVD設(shè)備。
微晶化的摻雜層工藝PECVD設(shè)備采用“大腔室、大產(chǎn)能”設(shè)計(jì)，沉積膜均勻性更好、精度更高，相應(yīng)的產(chǎn)品良率也更高，且單機(jī)產(chǎn)能大，設(shè)備利用率高，更容易實(shí)現(xiàn)大產(chǎn)能。PECVD設(shè)備采用I+IN+P構(gòu)造，腔室之間氣體不會(huì)交叉污染，工藝穩(wěn)定性高；模塊化的設(shè)計(jì)可連續(xù)在線鍍膜、連續(xù)生產(chǎn)，保證了產(chǎn)線運(yùn)行的穩(wěn)定性和產(chǎn)能的持續(xù)提升。
經(jīng)過前期的大量工藝改進(jìn)和設(shè)備調(diào)試驗(yàn)證工作，目前公司微晶異質(zhì)結(jié)電池已經(jīng)具備量產(chǎn)能力。
專利低銀耗技術(shù)
背面PVD鍍銅層工藝
低銀耗技術(shù)采用“正面銀漿、背面鍍銅”方案，與常規(guī)的“銀包銅”工藝完全不同，背面采用PVD在線真空鍍銅，避免了電鍍銅工藝的環(huán)保壓力，且成本與電鍍銅工藝相當(dāng)，柵線電極成本可降至每瓦0.09元，而常規(guī)雙面低溫銀漿印刷電極的成本是每瓦0.2元。低銀耗技術(shù)可顯著降低成本，再結(jié)合120微米薄片硅片，低銀耗HJT電池成本已與PERC電池相當(dāng)。
